Molekulārā stara epitaksija jeb MBE ir jauna metode augstas kvalitātes plānu kristālu kārtiņu audzēšanai uz kristāla substrātiem. Īpaši augsta vakuuma apstākļos, izmantojot sildīšanas krāsni, kas aprīkota ar visām nepieciešamajām sastāvdaļām un ģenerē tvaiku, caur caurumiem, kas izveidoti pēc atomu vai molekulu staru kolimācijas, tieši ievadot tvaiku atbilstošā monokristāla substrāta temperatūrā, vienlaikus kontrolējot molekulāro staru kūli substrāta skenēšanā, tas var panākt, ka molekulas vai atomi kristāla izlīdzināšanas slāņos veido plānu plēvi uz substrāta.

MBE iekārtu normālai darbībai ir nepieciešams nepārtraukti un stabili transportēt augstas tīrības pakāpes, zema spiediena un īpaši tīru šķidro slāpekli uz iekārtas dzesēšanas kameru. Parasti tvertnes, kas nodrošina šķidro slāpekli, izejas spiediens ir no 0,3 MPa līdz 0,8 MPa. Šķidrais slāpeklis -196 ℃ temperatūrā cauruļvada transportēšanas laikā viegli iztvaiko slāpeklī. Kad šķidrais slāpeklis ar gāzes un šķidruma attiecību aptuveni 1:700 ir gazificēts cauruļvadā, tas aizņems lielu daudzumu šķidrā slāpekļa plūsmas telpas un samazinās normālo plūsmu šķidrā slāpekļa cauruļvada galā. Turklāt šķidrā slāpekļa uzglabāšanas tvertnē, visticamāk, būs neattīrīti gruži. Šķidrā slāpekļa cauruļvadā mitra gaisa klātbūtne arī novedīs pie ledus izdedžu veidošanās. Ja šie piemaisījumi nonāks iekārtā, tas radīs neparedzamus iekārtas bojājumus.

Tāpēc šķidrais slāpeklis āra uzglabāšanas tvertnē tiek transportēts uz MBE iekārtu putekļu nesaturošā darbnīcā ar augstu efektivitāti, stabilitāti un tīrību, un zems spiediens, bez slāpekļa, bez piemaisījumiem, 24 stundas nepārtraukti, šāda transportēšanas kontroles sistēma ir kvalificēts produkts.