Molekulārā stara epitaksija jeb MBE ir jauna metode augstas kvalitātes plānu kristālu kārtiņu audzēšanai uz kristāla substrātiem. Īpaši augsta vakuuma apstākļos sildīšanas krāsns ir aprīkota ar visu veidu nepieciešamajiem komponentiem un rada tvaiku caur caurumiem, kas izveidoti pēc atomu vai molekulārā staru kūļa kolimēšanas, tiešās injekcijas līdz atbilstošai monokristāla substrāta temperatūrai, kontrolējot molekulāro staru kūli. Vienlaicīgi skenējot substrātu, tas var padarīt molekulas vai atomus kristāla izlīdzināšanas slāņos, veidojot plānu plēvi uz substrāta "augšanas".

Normālai MBE iekārtu darbībai ir nepieciešams, lai augstas tīrības pakāpes, zema spiediena un īpaši tīrs šķidrais slāpeklis nepārtraukti un stabili tiktu transportēts uz iekārtas dzesēšanas kameru. Parasti tvertnes, kas nodrošina šķidro slāpekli, izejas spiediens ir no 0,3 MPa līdz 0,8 MPa. Šķidrais slāpeklis pie -196 ℃ tiek viegli iztvaicēts par slāpekli cauruļvada transportēšanas laikā. Kad šķidrais slāpeklis ar gāzes un šķidruma attiecību aptuveni 1:700 ir gazificēts cauruļvadā, tas aizņems lielu daudzumu šķidrā slāpekļa plūsmas vietas un samazinās normālo plūsmu šķidrā slāpekļa cauruļvada galā. Turklāt šķidrā slāpekļa uzglabāšanas tvertnē, visticamāk, atrodas netīrumi. Šķidrā slāpekļa cauruļvadā slapja gaisa esamība arī izraisīs ledus izdedžu veidošanos. Ja šie piemaisījumi tiek izvadīti iekārtā, tas izraisīs neparedzamus iekārtas bojājumus.

Tāpēc šķidrais slāpeklis āra uzglabāšanas tvertnē tiek transportēts uz MBE aprīkojumu bezputekļu darbnīcā ar augstu efektivitāti, stabilitāti un tīrību, un zems spiediens, bez slāpekļa, bez piemaisījumiem, 24 stundas bez pārtraukuma, šāda transportēšanas kontroles sistēma ir kvalificēts produkts.